Name: Fairchild Semiconductor HUF75631SK8T
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: HUF75631SK8T
Availability: InStock
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Fairchild Semiconductor HUF75631SK8T

Artikelnummer:

HUF75631SK8T

Hersteller / Marke:

Fairchild (onsemi)

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 100V 5.5A 8SOIC

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Verpackung

~~Fairchild Semiconductor HUF75631SK8T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments HUF75631SK8T.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	79 nC @ 20 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5.5A (Ta)
HUF75631SK8T Einzelheiten PDF [English]	HUF75631SK8T PDF - EN.pdf

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- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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